Výrobca Číslo produktu:
TSM6NB60CZ C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM6NB60CZ C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12898812
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM6NB60CZ C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
872 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM6NB60CZ C0G-DG
TSM6NB60CZC0G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP7N80PM
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFP7N80PM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.60
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP6NK60Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1978
ČÍSLO DIELU
STP6NK60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFBC40APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
482
ČÍSLO DIELU
IRFBC40APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM60N600CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
DMTH10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM2312CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
